特征

鍍膜面積：高1100mm×寬450 mm

6個(gè)陰極靶

用可選組件更換陰極

高反應(yīng)性等離子體源實(shí)現(xiàn)低吸收膜

自動(dòng)上下片基板搬送系統(tǒng)

通過優(yōu)化沉積和搬送系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)低顆粒薄膜

一個(gè)程序可鍍AR/AS膜

規(guī)格

真空腔體 裝片室：304不銹鋼，寬700mm×高1860 mm×深1760 mm
卸片室: 寬700×高1860×深1760mm
運(yùn)送室: 寬660×高1860×深1760mm
工藝室：304不銹鋼，直徑2350 mm×高1950 mm

基板夾具 可選15– 22片

基板旋轉(zhuǎn)滾筒系統(tǒng) 直徑2245 mm, 滾筒式, 10rpm-50 rpm（可調(diào)）

反應(yīng)源 ICP（電感耦合等離子體）

濺射源 雙旋轉(zhuǎn)陰極（可選平面靶材）

真空系統(tǒng) 粗抽泵，分子泵，冷阱

性能

極限壓力 裝片室：10Pa
工藝室：≤2.0 × 10-4?Pa

抽氣速率 裝片室：≤8 分鐘 (從大氣到 10Pa)
工藝室：≤40分鐘(從大氣到9.0×10-4?Pa)

工作條件

設(shè)備尺寸 7000 mm (寬) × 6600 mm (深)×4000 mm (高)

電源 3相+G, 380V±5％、300kVA、50/60Hz

水流量 ≥400升/分鐘(水壓：0.6-0.7 Mpa)

壓縮空氣 0.5 MPa - 0.7 MPa

總重重 約30000 kg